Компания OCZ представила свои 2.5-дюймовые транзисторные накопители серии Vertex еще в прошлом месяце, однако, только сейчас эти устройства начинают появляться на рынке. Источник сообщает, что в японской рознице можно уже найти эти модели объемом 30 и 250 Гб.

Компания Fusion-IO, известная своими решениями в области корпоративных транзисторных накопителей, представила свой новый продукт ioDrive Duo, который как заявляет производитель, является самым быстрым и наиболее передовым SSD в мире.

Накопитель ioDrive Duo выполнен в виде PCI Express-карты и поддерживает стандарты второй версии интерфейса x8 и x4. Накопитель обеспечивает высочайшую скорость передачи данных: 1,5 Гб/с — в режиме продолжительного чтения и 1,4 Гб/с — длительной записи, время отклика составляет 50 мс.

ioDrive Duo предлагает усиленную защиту данных, включая многоразрядное определение и коррекцию ошибок, техно ... Подробнее »

Если пока технологии не позволяют создать терабайтный транзисторный накопитель стандартного форм-фактора, можно использовать технологию RAID-0.

Именно так поступила компания OCZ, продемонстрировав на выставке CeBIT устройство Z Drive работающее с ПК через шину PCI-Express x8 и использующее 4 SSD (256 Гб, на базе многослойных ячеек flash-памяти), связанных в режиме RAID 0. При таком подходе получается 1-Тб накопитель с 256 Мб кэш-памяти и скоростью чтения и записи на уровне 712 Мб/с и 500 Мб/с. Конечно, такое удовольствие — не из дешевых: Z Drive будет стоить не менее 1500 $.

Компании Samsung, Toshiba и SanDisk готовят 32-нм производство чипов Flash-памяти по технологии многослойных ячеек типа NAND. Это позволит в дальнейшем снижать стоимость транзисторных накопителей.

Компании Intel и Micron уже производят 32-Гбитные чипы на объединенном заводе в штате Юта с соблюдением 34-нм норм техпроцесса еще с ноября прошлого года, что дает этим компаниям большое преимущество. Первые такие чипы поступают уже на рынок мобильных телефонов, а для производства SSD эти компании пока еще используют 50-нм техпроцесс.

Samsung, Toshiba и SanDisk представят свои первые 32-нм чипы уже в третьем квартале этого года. Они позволят выпускать SSD объемом более терабайта.

Сотрудникам сайта VRZone удалось получить неофициальные сведения о планах Intel по выпуску полупроводниковых накопителей (SSD). Как оказалось, до осени корпорация не представит новых продуктов, зато в последней четверти года будет произведено полное обновление существующей линейки благодаря переходу с 50-нм на 34-нм нормы производства.

На дорогостоящей технологии однослойного расположения ячеек памяти, которая показывает высочайшие показатели скорости, будут представлены модели объемом 128 и 64 Гб. А многослойная технология будет положена в основу более дешевых накопителей, объем которых будет достигать 320 Гб.

Также в начале 2010 года Intel представит технологию, известную как Braidwood, которая придет на смену Turbo Memory и будет поддерживаться набор ... Подробнее »

Компания OCZ представила линейку твердотельных накопителей Apex, которая займет ценовую позицию ниже более дорогой серии Vertex.

Скорость чтения и запись накопителей Apex составляет 230 Мб/с и 160 Мб/с соответственно, а время поиска — всего 0,3 мс. Вес 60-Гб модели составляет всего 77 г.

Единственная возможная проблема SSD этой линейки — относительно низкая скорость случайной записи (эти SSD используют технологию многослойных ячеек памяти). Для увеличения этого показателя OCZ и выпускала линейку накопителей Vetrex со встроенной кэш-памятью.

Во время выставки CES 2009 компания PureSilicon представила SSD серии Nitro объемом 1 Тб. Этот накопитель позиционируется для использования в серверах, суперкомпьютерах и информационных центрах.

Устройство выполнено в формате 2,5 дюйма, имеет скорость чтения и записи на уровне 240 Мб/с и 215 Мб/с соответственно, а время наработки на отказ составляет 2 млн. часов. SSD потребляет до 4,8 Вт в активном режиме и около 0,1 Вт в режиме простоя.

На рынке изделие появится в третьей четверти года по очень недемократичной цене.

Как известно, современный формат карт памяти SDHC имеет ограничение по объему в 32 Гб. Преодолеть этот недостаток индустрия собирается с помощью нового стандарта — SDXC, который позволит производить карточки SD и MicroSD объемом до 2 Тб.

Первые карты формата SDXC ожидаются к концу 2009 года и они будут иметь объем в 64 Гб. К концу 2009 года должны появиться даже карты формата microSDXC того же объема. Более вместимые карточки появятся в 2010 году.

Еще одной интересной особенностью SDXC станет поддержка скорости передачи данных до 300 Мб/с.

SanDisk раскрыла некоторые детали относительно своих твердотельных накопителей серии G3. Эти SSD будет в 5 раз быстрее магнитных дисков со скоростью шпинделя 7200 оборотов в минуту.

Накопители C18-G3 будут исполнены в 1,8-дюймовом формате, а C25-G3 — в 2,5-дюймовом. Все они будут использовать 43-нм техпроцесс и относительно дешевую технологию многослойных ячеек Flash-памяти NAND. Благодаря новому контроллеру Sandisk, файловой системе ExtremeFFS и интерфейсу SATA 3.0 Гбит/с диски смогут достигать скорости чтения до 200 Мб/с, а записи — до 140 Мб/с.

Выйдут накопители через полгода по цене 150 $, 250 $ и 500 $, соответственно, за 60-Гб, 120-Гб и 240-Гб модели. Без сомнения, SSD серии G3 от Sandisk станут самыми быстрыми на рынке из использующих технологию многослойных ячеек. ... Подробнее »

Micron Technology сообщила о том, что она совместно с Sun Microsystems работает над новой технологией однослойной NAND flash-памяти (SLC) для корпоративного рынка. Основной особенностью данной памяти должно стать увеличенное до одного миллиона циклов количество возможных перезаписей ячеек.

Ранее, из-за более низкого (примерно в 10 раз) показателя циклов перезаписи, использование памяти NAND было невозможно во многих профессиональных областях.

Показатель количества перезаписи для многослойной памяти MLC NAND так же сейчас очень низок — всего 10 тыс. раз. Новая технология так же может увеличить его на порядок, до 100 тыс. циклов.

Micron уже получила первые образцы такой памяти, а производство ее начнется с соблюдением 34-нм техпроцесса.