Сотрудникам сайта VRZone удалось получить неофициальные сведения о планах Intel по выпуску полупроводниковых накопителей (SSD). Как оказалось, до осени корпорация не представит новых продуктов, зато в последней четверти года будет произведено полное обновление существующей линейки благодаря переходу с 50-нм на 34-нм нормы производства.

На дорогостоящей технологии однослойного расположения ячеек памяти, которая показывает высочайшие показатели скорости, будут представлены модели объемом 128 и 64 Гб. А многослойная технология будет положена в основу более дешевых накопителей, объем которых будет достигать 320 Гб.

Также в начале 2010 года Intel представит технологию, известную как Braidwood, которая придет на смену Turbo Memory и будет поддерживаться наборами логики Intel Q57, P57 и H57. Компьютеры смогут использовать интегрированный в систему быстрый накопитель, объемом от 4 до 16 Гб, в качестве буфера памяти, ускоряющего повседневную работу магнитного жесткого диска.