Компания Walton Chaintech сообщила о планах по впуску набора памяти APOGEE GT DDR3 1800 МГц объемом 4 Гб.
Память работает на низком напряжении 1,8 В, что обеспечивает более
высокую надежность и возможность разгона. Характеристика задержек
выражена формулой 8-8-8-24. По данным синтетического
пакета EVEREST, способность записи и чтения памяти составляет
28,8 Гб/с, что соответствует наивысшей оценке.
Набор включает 2 планки памяти по 2 Гб, имеющие общий радиатор,
выполненный в виде моста с запатентованным дизайном Cool It Smart.
|
