Intel заявила о заключении соглашения с Samsung и TSMC о переходе на 450-мм подложки при производстве чипов в 2012 году. Как и переход к 300 мм, который состоялся в 2001 году, переход к новым 450-мм подложкам должен существенно удешевить производство полупроводниковых чипов. Intel планирует впервые применить 450-мм подложки при производстве с соблюдением 22-нм норм в конце 2011.

Для многих полупроводниковых компаний пока еще и 300-мм подложки являются относительно свежим нововведением, часть из них до сих пор использует 200-мм подложки.

Площадь подложки с диаметром в 450 мм в 2,25 раза выше используемых сейчас 300-мм. Поэтому, несмотря на огромные капиталовложения, требующиеся для перехода на новую технологию (только перечисленным выше компаниям это обойдется более чем в 10 млрд. $), стоимость производства отдельного кристалла снизится очень значительно.

В прошлом переход на подложки с большим диаметром происходил раз в 10 лет. Например, переход на 200-мм подложки начался в 1991 году, а на 300-мм — в 2001. Поэтому начало перехода отрасли на 450-мм вполне закономерно как раз в 2011—2012 году.