Компания Intel сделала дополнительные инвестиции в размере 14 млн. $ в компанию Nanochip, которая располагается в Кремниевой долине. Инвестиции должны послужить продолжению разработок памяти PRAM на базе технологии MEMS.

Эта технология позволяет отказаться от использования литографического метода производства, что дает возможность выпускать чипы памяти объемом более 1 Гб на заводах, морально устаревших по современным меркам.

PRAM — память, изменяющая фазовые состояния — может легко заменить Flash благодаря недорогому производству и более быстрой работе. Однако пока производство еще не отлажено. Первые образцы должны появиться уже в 2009 году, а массовое производство памяти по технологии MEMS начнется не ранее 2010 года. Современные же фабрики смогут производить чипы объемом в 100 Гб.

Если PRAM память действительно будет дешевой и появится в 2010 году, то, похоже, твердотельные диски на базе Flash-памяти, так и не став массовыми, будет заменены PRAM-аналогами.